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ANSI/INCITS/ISO/IEC 11770-2-2009 信息技术.保密技术.关键管理.第2部分:使用对称技术机制

作者:标准资料网 时间:2024-05-28 19:00:39  浏览:8571   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Informationtechnology-Securitytechniques-Keymanagement-Part2:Mechanismsusingsymmetrictechniques
【原文标准名称】:信息技术.保密技术.关键管理.第2部分:使用对称技术机制
【标准号】:ANSI/INCITS/ISO/IEC11770-2-2009
【标准状态】:现行
【国别】:美国
【发布日期】:2009
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国国家标准学会(US-ANSI)
【起草单位】:ANSI
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:算法;可靠性测试;数据处理;数据保护;数据传输;定义;信息交换;信息技术;IT安全;管理;安全工程
【英文主题词】:Algorithms;Authenticitytests;Dataprocessing;Dataprotection;Datatransmission;Definitions;Informationinterchange;Informationtechnology;ITsecurity;Management;Safetyengineering
【摘要】:ISO/IEC11770isconcernedwiththemanagementofcryptographickeys.ISO/IEC11770-2:2008specifiesaseriesof13mechanismsforestablishingsharedsecretkeysusingsymmetriccryptography.Thesemechanismsaddressthreedifferentenvironmentsfortheestablishmentofsharedsecretkeys:point-to-pointkeyestablishmentschemes,mechanismsusingaKeyDistributionCentre(KDC),andtechniquesthatuseaKeyTranslationCentre(KTC).ISO/IEC11770-2:2008describesthecontentofmessageswhichcarrykeyingmaterialorarenecessarytosetuptheconditionsunderwhichthekeyingmaterialcanbeestablished.
【中国标准分类号】:L70
【国际标准分类号】:35_040
【页数】:
【正文语种】:英语


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基本信息
标准名称:工业用化学产品采样安全通则
中标分类: 化工 >> 化工综合 >> 基础标准与通用方法
替代情况:被GB/T 3723-1999代替
发布日期:
实施日期:1984-06-01
首发日期:
作废日期:
出版日期:
页数:6页
适用范围

没有内容

前言

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目录

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引用标准

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所属分类: 化工 化工综合 基础标准与通用方法
基本信息
标准名称:硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
英文名称:Testing method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
替代情况:替代GB/T 1554-1995
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2009-10-30
实施日期:2010-06-01
首发日期:1979-05-26
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
起草单位:峨嵋半导体材料厂
起草人:何兰英、王炎、张辉坚、刘阳
出版社:中国标准出版社
出版日期:2010-06-01
页数:24页
计划单号:20063376-T-469
适用范围

本标准规定了用择优腐蚀技术检验硅晶体完整性的方法。
本标准适用于晶向为<111>、<100>或<110>、电阻率为10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位错密度在0cm-2~105cm-2之间的硅单晶锭或硅片中原生缺陷的检验。

前言

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目录

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引用标准

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T14264 半导体材料术语
YS/T209 硅材料原生缺陷图谱

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料

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